S8050晶體管（NPN） 品牌：長(zhǎng)電
采用SOT - 23塑料封裝晶體管
特征
集電電流: Ic=0.5A 芯片標(biāo)記: J3Y
額定值（Ta = 25℃除非另有說明）
號(hào) 參數(shù)值 單位
VCBO Collector-Base Voltage 40 V 集電基電壓
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V 集電發(fā)射電壓
VEBO Emitter-Base Voltage 5 V 發(fā)射基電壓
IC Collector Current –Continuous 0.5 A 集電電流連續(xù)
PC Collector Dissipation 0.3 W 集電耗散
Tj Junction Temperature 150 ℃ 結(jié)溫
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ 儲(chǔ)存溫度
電氣特性
參數(shù) 號(hào) 測(cè)試條件 數(shù)值 （Tamb = 25℃除非另有說明）
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100μA, IE=0 40V 集電基擊穿電壓
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA, IB=0 25V 集電發(fā)射擊穿電壓
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5V 發(fā)射基擊穿電壓
Collector cut-off current ICBO VCB=40 V , IE=0 0.1 μA 集電截止電流
Collector cut-off current ICEO VCB=20V , IE=0 0.1 μA 集電截止電流
Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V , IC=0 0.1 μA 發(fā)射截止電流
DC current gain 直流電流增益
HFE(1) VCE=1V, IC= 50mA 120-350
HFE(2) VCE=1V, IC= 500mA 50
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 0.6V 集電發(fā)射飽和電壓
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 1.2V 基發(fā)射飽和電壓
Transition frequency（ fT） VCE=6V, IC= 20mA f=30MHz 150MHz 轉(zhuǎn)換頻率
放大倍數(shù)范圍： 120-200（L） 200-350（H）
SOT-23 腳位：
1． 基 2.發(fā)射 3． 集電
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