高、高擾，碼盤整定4位數(shù)顯時間繼電器系列電路

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《QA64X807系列選型指南》

 （型號中“X”不同，表示電路的時間單位選擇表不同。詳見《時間單位及計時范圍》）

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LSI CMOS

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• 18腳雙列直插或SOIC貼片封裝。

• 型號中“X”不同，表示電路的時間單位選擇表不同，其UNIT選擇開關（K3）、K2、K1、K0選擇的不同時基表見《時間單位及計時范圍》。表中（K3）、K2、K1、K0開關“ON”為“1”，“OFF”為“0”。當選擇實時鐘方式（“XX分：XX秒”或“XX小時：XX分”）時，高兩位未達整定值前，低兩位為60進制，高兩位整定值后，低兩位可按整定值從1計到99。

• 具小數(shù)點自動顯示控制的電路，小數(shù)點隨所選時間單位自動改變位置，并兼做秒閃爍。全整數(shù)時小數(shù)點顯示在個位右側(cè)，做為秒閃爍顯示。

• 四位數(shù)字顯示。直接驅(qū)動共陰LED，無需外接譯碼器。型號后加尾字母A、B、C可選三種無效消隱類型（A可不加）：A型，高位無效消隱；B型，實時鐘方式時百位不消隱；C型，高位無效不消隱。

• 暫停功能由門控開關GATE實現(xiàn)。QA64X807NG、QA64X817NG、QA64X807DNG、QA64X817DNG、QA64X807DNG-F、QA64X817DNG-F門控開關GATE下沿，暫停/計時反復控制。其它電路門控開關GATE電平，低電平暫停，高電平計時。

• 啟動功能由啟動開關START實現(xiàn)，開關“ON”啟動計時。

• 具片內(nèi)上電復位電路和外控復位電路。外控復位開關RET“接地”（低電平）為復位，復位中顯示“0”。RET及START開關低電平寬度須大于100mS才為，從而增強擾和抖能力。

• 不用外控復位、啟動或門控時，相應開關及接開關的電阻可省，但接電源的電阻應保留。

• 具“定時合與秒信號閃爍”復用輸出端（UP/S）：計時過程中可按秒信號閃爍，每0.5秒交替呈現(xiàn)“高阻”（亮）或 “0”（滅）。見應用舉例。啟動后先亮后滅，合后停在亮。門控暫停時滅。

• 由M1（個）、M2（十）、M3（百）、M4（千）四個8，4，2，1碼撥盤整定預定值。碼盤缺省整定值為。

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《快速重復上電型電路》

    詳見圖4～圖6、圖9～圖10。由“片內(nèi)上電復位電路外接調(diào)整端”PWR與“早期電源測試”端PWT（復用端）配合，可很好的解決即要電路電源干擾的能力，又要電路在電源跌落時能夠快速復位以縮短重復上電間隔時間這樣一對矛盾，而不總靠減小VCC處的電源時間常數(shù)。例如，按應用舉例電路連接，凡不低于2V、不寬于50毫秒的電源跌落電路不會擾復位。 PWT所接處電源時間常數(shù)應小于VCC處電源時間常數(shù)，至少應使PWT處電源跌至2V的時間比VCC處跌至2V的時間早50毫秒以上。

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《備電低功耗數(shù)據(jù)保持型電路》

       應用舉例見圖7、圖8。當主電V+掉電后，芯片需由備電VB提供多5μA的保持電流（典型值0.1μA）。VB與V+無嚴格要求，只要使VCC端電壓合VCC電源范圍要求即可。在低功耗保持期間，芯片能記憶當時已進行的數(shù)據(jù)狀態(tài)。為降低芯片功耗，除電源測試端PUB仍為輸入端外，其它入出端口均變?yōu)檩敵隹谇逸敵?ldquo;0”電平。當V+恢復供電時，在PUB端產(chǎn)生一個負脈沖，使芯片從掉電時刻狀態(tài)起繼續(xù)工作。因從V+恢復供電到芯片各輸入端恢復為輸入態(tài)約需2mS時間，為避免瞬時短路，需接高電平的輸入端應通過小0.5K的上拉電阻接V+，避免直接接電源。

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《免備電數(shù)據(jù)保持型電路》

      應用實例見圖12～圖14。當電源掉電后，芯片能長期（大于40年）記憶掉電時已進行的數(shù)據(jù)狀態(tài)，電源恢復供電后，芯片從掉電時刻狀態(tài)起繼續(xù)工作。PWT所接處電源時間常數(shù)應至少小于VCC處電源時間常數(shù)50毫秒以上。