磁控濺射和電子束蒸發鍍膜一體機是納米器件制備中不可少的儀器，用于制備各種高屬薄膜和氧化物薄膜。開展量子計算機實驗研究，如基于金剛石NV色心，離子阱，導量子結，量子點電子自旋的研究，均需要蒸鍍/濺鍍各種高質量金屬薄膜來制備量子器件。
配置概要：
1、系統配有多個腔室：UHV蒸發室、UHV濺射室，load lock等，用于制備約瑟夫森結。
2、電子束蒸發源：（4-6）x 15cc，6-15KW，2-10KV可調。
3、濺射室配有多個磁控靶源，每個靶源有的擋板，配備氣路。
4、可以注入多種氣體，進行氧化處理，并且可控制其壓強。
5、樣品臺可以適用于3英寸以上晶片，且具有樣品臺傾斜和旋轉功能（三維轉動）。
6、樣品襯底在鍍膜前可以通過離子進行清潔。
7、主要真空腔真空度可達10-9-10-10 Torr.
8、可以沉積幾乎任何金屬及氧化物薄膜。
9、蒸鍍厚度控制速度分辨率：0.001nm/s
10、整個系統全自動控制，支持半自動和手動模式。
代表用戶：導及量子器件研究實驗室。
配置概要：
1、系統配有多個腔室：UHV蒸發室、UHV濺射室，load lock等，用于制備約瑟夫森結。
2、電子束蒸發源：（4-6）x 15cc，6-15KW，2-10KV可調。
3、濺射室配有多個磁控靶源，每個靶源有的擋板，配備氣路。
4、可以注入多種氣體，進行氧化處理，并且可控制其壓強。
5、樣品臺可以適用于3英寸以上晶片，且具有樣品臺傾斜和旋轉功能（三維轉動）。
6、樣品襯底在鍍膜前可以通過離子進行清潔。
7、主要真空腔真空度可達10-9-10-10 Torr.
8、可以沉積幾乎任何金屬及氧化物薄膜。
9、蒸鍍厚度控制速度分辨率：0.001nm/s
10、整個系統全自動控制，支持半自動和手動模式。
代表用戶：導及量子器件研究實驗室。
